RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
53
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3020
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link