RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3257
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link