RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
54
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2938
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Mushkin 994083 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link