SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 44
    Около -110% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.9 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.8 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 17.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 13.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1977 left arrow 3167
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения