RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
1338
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link