RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
3692
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link