RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
66
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
2,978.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2243
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link