RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,076.1
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
59
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2824
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link