RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
74
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
2,076.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
74
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
1616
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
UMAX Technology 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link