SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB против Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,013.5 left arrow 1,906.1
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    66 left arrow 68
    Около -3% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    68 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,402.8 left arrow 4,323.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,013.5 left arrow 1,906.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    701 left arrow 703
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения