RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
20.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
16.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
60
Около -253% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
17
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
20.9
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
3550
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link