RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,381.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
29
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
2407
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link