SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8,883.4 17.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 44

Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 14

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 30
Скорость чтения, Гб/сек

14,740.4 18.4
Скорость записи, Гб/сек

8,883.4 17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2811 3860

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB

Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

модули RAM