RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3498
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link