RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
2989
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link