SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB против Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 13
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    43 left arrow 54
    Около -26% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.6 left arrow 2,228.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 6400
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    54 left arrow 43
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,204.8 left arrow 13.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,228.5 left arrow 7.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    649 left arrow 1994
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения