RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3648
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link