RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3110
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link