RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
70
Около -89% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2808
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link