RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
70
Около -89% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3100
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link