RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
1870
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link