RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3425
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link