RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2808
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link