RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3221
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link