RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
63
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3038
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link