RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3230
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link