RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2659
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link