RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2982
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link