RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
63
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3396
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link