RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3261
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link