RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
63
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
53
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2301
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link