RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
63
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3845
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link