RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
63
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3331
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link