RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2584
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link