RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
10.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1740
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link