RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
71
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1650
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link