RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
63
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
62
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1586
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link