RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
3564
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link