RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
2468
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link