RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Сравнить
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
68
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,944.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,973.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,944.9
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
673
3534
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link