RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
57
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
57
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2792
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link