RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
4065
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link