RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3332
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link