RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3956
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link