RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3823
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link