RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3035
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link