RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против INTENSO 5641162 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
INTENSO 5641162 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2799
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
INTENSO 5641162 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link