RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
67
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
67
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1693
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link