RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3005
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link