RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2960
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link